硅集成电路工艺基础复习

微电子

1、将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序？

滚圆（rounding）
X射线定位（x－ray orientation）
切片（slicing）
倒角（edge contouring）
硅片研磨（lapping）
清洗（cleaning）
化学腐蚀（etching）
热处理（heat treatment)

2、切片可决定晶片的哪四个参数？

表面方向（surface orientation）：如<111>或<100>
厚度（thickness）：0.5mm～0.7mm，由晶片直径决定
斜度（taper）：从一端到另一端晶片厚度的差异
弯曲度（翘度bow）：晶片中心量到边缘的弯曲程度

3、硅单晶片研磨后为何要清洗？

硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率。

4、硅片表面吸附杂质的存在形态有哪些？对这些形态按何种顺序进行清洗？

存在形态：离子、原子、分子
顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干

5、硅片研磨及清洗后为何要进行化学腐蚀？腐蚀方法有哪些？

目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染（损伤层和污染部分约15um）
腐蚀种类：酸性腐蚀及碱性腐蚀
腐蚀方式：喷淋（spray）及浸泡（batch）

6、CMP包括哪2个动力学过程？控制参数有哪些？

吸附过程：吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与单晶片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程（化学作用）
解吸过程：抛光表面反应物脱离硅单晶表面使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程（机械作用）
控制参数：抛光时间、磨头压力、磨头转盘速率、磨头速度、磨料化学成分、磨料流速、抛光垫修整、硅片/磨料温度、硅片背压

7、集成电路制造过程中常用的1号、2号、3号清洗液组成是什么？各有什么用途？

1号：氨水、过氧化氢、去离子水（1:1:6 去油脂、重金属离子）
2号：盐酸、过氧化氢、去离子水（去一般金属离子）
3号：硫酸、过氧化氢（去油脂、去蜡、光刻胶）

8、硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？

外延生长是横向进行的，偏离一个小角度能在硅表面片产生台阶，使外延过程容易进行

9、外延层杂质的分布主要受哪几种因素影响？

掺杂剂、化学反应、反应系统、生长过程等因素

10、常用的硅源有哪些？其外延温度和生长速度有何不同？

硅源：SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH4
外延温度：SiCl4 > SiHCl3 > SiH2Cl2 > SiH4
生长速度：SiCl4 < SiHCl3 < SiH2Cl2 < SiH4

11、异质外延对衬底和外延层有什么要求？

异质外延的相容性

1. 衬底与外延层不发生化学反应，不发生大量的溶解现象；
2. 衬底与外延层热力学参数相匹配，即热膨胀系数接近。以避免外延层由生长温度冷却至室温时，产生残余热应力，界面位错，甚至外延层破裂。
3. 衬底与外延层晶格参数相匹配，即晶体结构、晶格常数接近，以避免晶格参数不匹配引起的外延层与衬底接触的界面晶格缺陷多和应力大的现象。

12、比较分子束外延(MBE)生长硅与气相外延（VPE）生长硅的优缺点

分子束外延-优点：
①高真空度，污染少，外延层洁净；
②温度低，无杂质再分布现象；
③易于控制，可生长极薄、多层、杂质分布复杂的外延层；
④外延过程同时能进行监控测量，外延质量高
缺点：设备复杂、价格昂贵、需要的超高真空度限制应用

气相外延-优点：
①设备简单、价格低
缺点：真空度不高，较难控制精确度，质量不高

13、SiO2按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO2属那一类？

按结构分类：结晶形（方石英、鳞石英、水晶）及无定形
热氧化生长：无定形体

14、在SiO2¬中何谓桥键氧？何谓非桥键氧？，对SiO2密度有何影响？

连接二个Si-O四面体的氧称为桥键氧；只与一个硅连接的氧称为非桥键氧
桥氧键的数目越多，网络结合越紧密

15、二氧化硅层的主要作用有哪些？

①MOS器件的绝缘栅介质
②扩散的掩蔽层，离子注入的阻挡层
③电路隔离介质材料
④多层金属互连层之间的介质材料
⑤电容器的绝缘介质材料
⑥器件与电路钝化层材料
⑦半导体光学器件表面防反射层

16、二氧化硅网络中按杂质在网络中所处位置不同可分为哪几类？

网络形成者：代替 Si-O四面体中心的Si、并能与氧形成网络的杂质
网络改变者：存在于二氧化硅网络间隙中的杂质

17、热氧化方法有哪几种？各有何优缺点？

干氧氧化、湿氧氧化、水蒸气氧化

18、影响氧化速率的因素有哪些？

温度、气体分压、硅晶向、掺杂浓度

19、影响SiO2热氧化层电性的电荷来源主要有哪些种类？这些电荷对器件有何危害？降低这些电荷浓度的措施有哪些？

可动离子电荷Qm、界面陷阱电荷Qit、固定离子电荷Qf、氧化层陷阱电荷Qot
危害与解决方法见下题

20、为何热氧化时要控制钠离子的含量？降低钠离子污染的措施有哪些？

在氧化层电场中迁移能力强，会导致MOS管阈值电压VT不稳定，栅极局部击穿，导致器件不稳定
措施：控制钠离子来源；使用氯离子清洗；钝化可动离子；用氮化硅做掩蔽层

21、掺氯氧化工艺对提高氧化膜质量有哪些作用？

钝化可动离子，尤其是钠离子；
减少SiO2中缺陷，提高了氧化层的抗击穿能力；
降低了界面态密度和表面固定电荷密度；
减少了氧化导致的堆垛层错，增加了氧化层下面硅中少数载流子寿命。

22、由热氧化机理解释干、湿氧氧化速率相差很大这一现象的原因？

水在二氧化硅中扩散速率大于氧，故湿氧氧化速率大于干氧氧化速率

23、薄层工艺（10nm以下氧化层）过程中应注意哪些要求？现采用的工艺有哪些？

低缺陷密度
抗杂质扩散势垒特性好
具有低的界面态密度和固定电荷的高质量的Si－SiO2界面
在热载流子应力和辐射条件下的稳定性
低的热预算（thermal budget）工艺

干氧氧化、掺氯氧化

24、氧化层膜厚的测定方法有哪些？

双光干涉法、比色法、椭偏光法

25、热氧化时常见的缺陷有哪些？产生的原因有哪些？

氧化层针孔、厚度不均匀、表面出现斑点

原因：硅片表面上气体分布不均匀；炉温不稳定；恒温区太短；硅片表面抛光不佳；工艺过程有杂质混入；存在严重位错

26、什么是掺杂？

将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触结

27、热扩散的机制有哪些？

1.间隙式扩散
2.替位式扩散
3.间隙 -替位式扩散

28、扩散源有哪些存在形态？

固态源、液态源、气态源

29、实际生产中为何采用二步扩散？预扩与主扩的杂质浓度分布各有何特点？

为了同时满足对表面浓度、杂质数量、结深以及梯度等方面的要求
预淀积（预扩散）：低温，短时，恒定表面源扩散；杂质扩散很浅，杂质数量可控，杂质分布服从余误差函数
主扩散（再分布）：高温，扩散同时伴随氧化；控制表面浓度和扩散深度，杂质分布服从高斯函数

30、叙述氧化增强扩散及发射区推进效应及其产生的机理？

氧化增强扩散：氧化诱生堆垛层错产生大量自填隙Si，间隙-替位式扩散中的“踢出”机制提高了扩散系数

（硅氧化时，在Si-SiO2界面附近产生大量的间隙硅原子，这些过剩的间隙硅原子在向硅内扩散的同时不断与空位复合，使这些过剩的间隙硅原子的浓度随深度而降低。表面附近过剩的间隙硅原子可以和替位硼相互作用，使原来处于替位的硼变为间隙硼。当间隙硼邻近晶格没有空位时间隙硼以间隙方式运动。如果间隙硼近邻有空位时，间隙硼又可以进入空位变为替位硼。杂质硼以替位－间隙交替的方式运动，其扩散速度比单纯由替位到替位要快）

发射区推进效应：硼扩散的增强是由于磷与空位相互作用形成的PV对，发生分解所带来的复合效应

（发射区正下方硼扩散的增强是由于磷与空位相互作用形成的PV对发生分解，磷附近PV对的分解会增加空位浓度，加快B的扩散。此外磷扩散区正下方PV对的分解存在过饱和的间隙硅原子，这些间隙硅原子与硼相互作用也会增强B的扩散，出现发射区推进效应）

31、与预扩散相比，为什么B再扩后表面电阻变大而P再扩后表面电阻会变小？

再分布主要是由硅的氧化速率、杂质在 Si/SiO2 中的分凝以及扩散速率决定的。
B再扩后表面电阻变大而P再扩表面电阻变小，是因为不同杂质的分凝系数以及杂质在Si/SiO2 中的扩散速率不同导致的

32、与热扩散相比，离子注入有哪些优点？

各种杂质浓度分布与注入浓度可通过精确控制掺杂剂量（1011-1017 cm-2）和能量（5-500 keV）来达到,均匀性及重复性很好
同一平面上杂质掺杂分布非常均匀（±1% variation across an 8’’ wafer）
非平衡过程，不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度
注入元素通过质量分析器选取，纯度高，能量单一
低温过程（因此可用多种材料作掩膜，如金属、光刻胶、介质）；避免了高温过程引起的热扩散；易于实现对化合物半导体的掺杂(高温热扩散时化合物组分会变化)；
横向效应比气固相扩散小得多，有利于器件尺寸的缩小
离子注入通过Si表面上的薄膜注入到Si中，防止了污染，自由度大

33、什么是沟道效应？如何降低沟道效应？

对晶体靶进行离子注入时，由于晶体排列的特性使得某些角度上有长距离的开口。假如注入离子运动方向与这些隧道般的开口相平行，这些注入的离子将不会与靶原子发生碰撞而深深地注入衬底之中

34、什么是离子注入损伤？损伤类型有哪些？

高能离子在靶内与晶格多次碰撞，从而导致靶的晶格损伤
简单晶格损伤：点缺陷、非晶区、非晶层

35、离子注入掺杂后为何要进行退火？其作用是什么？

注入离子造成的晶格损伤会影响材料的电学性质
在某一高温下保持一段时间，使杂质通过扩散进入替位，有电活性；并使晶体损伤区域“外延生长”为晶体，恢复或部分恢复硅的迁移率、少子寿命

36、离子注入设备的主要部件有哪些？

离子源、质量分析器、加速器、（挡板）、离子束聚焦器、扫描装置、气体供应设备、真空系统、晶片的装卸装置、晶片冷却系统

37、离子注入工艺技术中须控制的工艺参数及设备参数有哪些？

工艺参数
离子：P，As，Sb，B，In，O
剂量：1011~1018 cm-2
能量：1– 400 keV
可重复性和均匀性: ±1%
温度：室温
流量：1012-1014 cm-2s-1

38、等离子体是如何产生的？PECVD是如何利用等离子体的？

直流气体辉光放电
在沉积室利用辉光放电，使其电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料

39、SiO2作为保护膜时为什么需要采用低温工艺?目前低温SiO2工艺有哪些方法?它们降低制备温度的原理是什么？

保护膜是芯片制造的最后一个工艺步骤，这时芯片上的元、器件已制作好，若再采用高、中温工艺制作 SiO2 保护膜，芯片上的金属化系统或器件结构都会受损，如金属被氧化、杂质再分布带来元器件结构的改变，甚至芯片报废。所以，只能采用低温工艺
使用的工艺：①硅烷/O2为源的APCVD/LPCVD/PECVD
②TEOS（正硅酸四乙酯） 为源的低温PECVD
③TEOS与O3混合源的SiO2淀积
SiO 2低温工艺反应气体为O2、N2O 和 SiH 4 或 TEOS，应用等离子体技术将电能耦合到反应气体中，使反应气体形成等离子体，降低了反应淀积 SiO2 温度

40、比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小？解释不同的原因。

在一般掺杂浓度下，同样掺杂情况，比单晶电阻率高；高掺杂时，电阻率与单晶接近
原因：1、热处理过程中掺杂原子运动到晶界处，不能有效供给自由载流子；
2、晶界处的悬挂键可俘获自由载流子；
3、晶界内缺陷使载流子迁移率下降

41、溅射主要有哪几种？特点是什么？

直流溅射：溅射速率很慢
射频溅射：功率大，不安全
磁控溅射：只能制备金属导电薄膜；溅射质量（牢固度，均匀性）和成膜速率有了很大提高
反应溅射：可实现多组分薄膜淀积，但得到的薄膜往往与靶的化学组成有很大的差别
离子束溅射：
偏压溅射：

42、如果一个工艺过程依靠对硅片的离子轰击，你会将硅片置于连接腔壁的电极上还是与腔壁隔离的电极上——?

连接腔壁的电极上 —— 靶相对于等离子体而言是负极，被轰击溅射；衬底放置电极与机壳相连，鞘层压降很小，与等离子体基本等电位

应将硅片置于与腔壁隔离的电极上，这样可以避免离子轰击腔壁，造成材料被溅射出来污染反应室，离子对腔壁的轰击也会使反应室受损。

43、以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时，若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性？

真空蒸镀铝膜通过衬底加热和衬底旋转来改善其台阶覆盖特性。
磁控溅射通过提高衬底温度，在衬底上加射频偏压，采用强迫填充技术，采用准直溅射技术。

44、什么是气缺现象？如何解决气缺现象？

一个入气口的反应室，沿气流方向反应剂不断消耗．浓度降低，因此，膜厚不均。这种气体反应剂被消耗而导致反应剂浓度改变的现象称为气缺现象
气缺现象解决方法：
1.在水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度，从而提高淀积速率，补偿气缺效应的影
响，减小各处淀积厚度差别。
2.采用分布式的气体入口，就是反应剂气体通过一系列气体口注入列反应室中。需要特
殊设计的淀积室来限制注入气体所产生的气流交叉效应。
3.增加反应室中的气流速度。

45、什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？

光刻(photolithography)就是将掩模版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感薄膜材料（光刻胶）上去的工艺过程
主要指标：分辨率、焦深、对比度、特征线宽控制、对准和套刻精度、产率、价格

46、IC制造中对光刻技术的基本要求有哪些？

高分辨率：线宽为光刻水平的标志，代表IC的工艺水平。
高灵敏度（感光速度）的光刻胶：减少曝光所需时间提高生产率。
低缺陷：提高成品率
精密的套刻对准：套刻误差一般为线宽的± 10%
对大尺寸硅片的加工：提高经济效益和硅片利用率。

47、光刻工艺包括哪些工序？

底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶、检验工序

48、什么是分辨率、对比度、光敏度？

分辨率：一个光学系统精确区分目标的能力。能分辨的线宽越小，分辨率越高
对比度：光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。

49、影响显影的主要因素有哪些？

曝光时间
前烘的温度和时间
光刻胶的膜厚
显影液的种类及浓度
显影液的温度
显影液的搅动情况

50、在光刻技术中为何显影后必须进行检查？检查的内容有哪些？

区分有很低可能性通过最终掩膜检验的衬底，提供工艺性能和工艺控制数据，以及分拣出需要重做的衬底

光刻胶钻蚀
图形尺寸变化
套刻对准不良
光刻胶膜损伤
线条是否齐、陡（对比度）
针孔、小岛

51、什么是正光刻胶？什么是负光刻胶？其组成是什么？光刻胶的作用是什么？

正胶：显影中被去除
成分：光敏剂——重氮醌(DQ)，酚醛树脂(N)，溶剂——二甲苯；
显影液——氢氧化钠等碱性物质

负胶：显影中被保留
成分：顺聚异戊二烯、对辐照敏感的交联剂，溶剂
显影液——二甲苯

作用：光刻时接受图像

52、常见的曝光光源有哪些？

电子束、X-射线、离子束、可见光、紫外光（近、中、深、极）

53、常见的光刻对准曝光设备有哪些？

接触式、接近式、投影式

54、光刻工艺条件包括哪些方面？

光刻胶种类、光刻胶厚度、曝光参数（曝光能量、焦距）、光学路径上的设定（数值孔径NA）等

55、什么是驻波效应？如何减少驻波效应？

曝光光线进入到光刻胶层之后，如果没有被完全吸收，没被吸收的光线就会穿过光刻胶层到达衬底表面，如果在衬底表面被反射，那么又会回到光刻胶中。这样，在光刻胶中反射光线与入射光线将发生干涉，从而形成驻波。在曝光中的驻波现象表现为以λ/2n为间隔、形成强弱相间的曝光区域。
在光刻胶层的底部与衬底表面之间加入抗反射层；在曝光后进行烘焙

56、影响线宽控制的因素有哪些？

关键图形尺寸CD、最为重要的线宽（最为细微）、线距、接触窗尺寸大小、图形尺寸均匀度或变化量

57、什么是湿法刻蚀？什么是干法刻蚀？各有何优缺点？

湿法腐蚀：化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形
优点：工艺简单，无需复杂设备、选择比高、均匀性好
缺点：保真度差（图形分辨率低）、清洁性较差

干法腐蚀：应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出
优点：保真度好，图形分辨率高；湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀；清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液
缺点：设备复杂；选择比不如湿法

58、常见的干法刻蚀方法有哪些？各有何优缺点？

物理性刻蚀（包括溅射刻蚀、离子束铣蚀）：
优点：具有非常好的方向性，可获得接近垂直的刻蚀轮廓；
缺点：光刻选择性低

化学性刻蚀（又称等离子体刻蚀）：
优点：具有较高的掩膜 /底层的选择比；
缺点：各向同性

物理化学性刻蚀（又称反应离子刻蚀RIE）：
优点：兼具非各向同性与高刻蚀选择比的双重优点；
缺点：RIE刻蚀后在衬底上留有残余损伤

59、光刻技术中的常见问题有那些？

浮胶、毛刺、钻蚀、针孔、小岛等

60、光刻工艺对掩模版有那些质量要求？

①构成图形阵列的每一个微小图形要有高的图像质量，即图形尺寸要准确，尽可能接近设计尺寸的要求，且图形不发生畸变。
②图形边缘清晰、锐利，无毛刺，过渡区要小，即充分光密度区（黑区）应尽可能陡直地过渡到充分透明区（白区）。
③整套掩模中的各块掩模能很好地套准，对准误差要尽量地小。
④图形与衬底要有足够的反差（光密度差），一般要求达2.5以上，同时透明区应无灰雾。
⑤掩模应尽可能做到无“针孔”、“小岛”和划痕等缺陷。
⑥版面平整、光洁、结实耐用。版子要坚固耐磨，不易变形。图形应不易损坏。

61、简述集成电路的常规掩模版制备的工艺流程。

版图绘制、刻分层图、初缩、精缩&分布重复、复印

62、光学分辨率增强技术主要包括那些？

移相掩模技术、 离轴照明技术、光学邻近效应校正技术、光瞳滤波技术 等

63、简述表征光刻胶特性、性能和质量的参数。

响应波长
灵敏度，又称光敏度，指最小曝光剂量E0
抗蚀性，指耐酸、碱能力
粘滞性，指流动特性的定量指标
粘附性，指与硅、二氧化硅表面结合力的大小
溶解膨胀率（负胶）
微粒数量和金属含量
储存寿命

64、理想的刻蚀工艺应具有哪些特点？

①各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。
②良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性，不致发生因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料；
③加工批量大，控制容易，成本低，对环境污染少，适用于工业生产

65、影响刻蚀工艺的因素有那些？

外部因素：设备硬件的配置（直流偏压的选择，控制反射功率，待刻蚀面积的大小、刻蚀材料的差异）、环境的温度、湿度
内部因素：工作压力的选择；RF功率的选择；ICP功率；衬底温度和反应室温度；反应气体的选择和配比

66、集成电路对金属化材料特性的要求有哪些？

①布线材料有低的电阻率和良好的稳定性；
②布线应具有强的抗电迁移能力；
③布线材料可被精细刻蚀，并具有抗环境侵蚀的能力；
④布线材料易于淀积成膜，粘附性要好，台阶覆盖要好，并有良好的可焊性

67、金属铝膜的制备方法有哪些？

1.电阻加热蒸发法
2.电子束蒸发法
3.溅射法

68、金属在集成电路中的作用有哪些？

互连材料；接触材料；MOSFET栅电极材料

69、什么是Al/Si接触中的尖楔现象？如何解决尖楔现象？

尖楔现象：硅在铝中具有一定的固溶，Al/Si接触时，Si在Al膜的晶粒间界中快速扩散而离开接触孔的同时，Al就向接触孔内运动，填充因Si离开而留下的空间。在某些接触点处Al就象尖钉一样揳进到Si衬底中去，进而出现尖楔现象，造成浅结穿通，使pn结失效；

解决方法：①Al－Si合金金属化引线，使Si溶解度饱和（物理结合，退火时Si会析出）；
②铝－掺杂多晶硅双层金属化结构：在淀积Al膜之前先淀积一层重磷或重砷掺杂多晶硅薄膜，构成Al－重磷（砷）掺杂多晶硅结构
③铝－阻挡层结构：在Al－Si之间淀积扩散阻挡层，ptSi，pd2si，CoSi2等硅化物

70、什么是电迁移现象？如何提高引线的抗电迁移能力？

电迁移：在大电流密度作用下金属化引线的质量输运现象。质量输运沿电子流方向，结果在一方形成空洞，另一方形成小丘
解决方法：①Al－Cu 合金和Al－Si－Cu 合金，降低Al原子在Al晶界的扩散系数；
②多晶铝的优选晶向或使用“竹”状结构；
③制作三层夹心结构：二层 Al 薄膜之间增加一个约500A 的过渡金属层；

71、何谓中值失效时间？

中值失效时间MTF —— 指50%互连线失效的时间

72、什么是低K材料？

介电常数比SiO2低的介质材料，介电常数小于3.5

73、如何降低时间常数？

采用低电阻率的互连材料及低介电常数的介质材料

74、与Al布线相比，Cu布线有何优点？

铜作为互连材料，其抗电迁移性能比铝好，电阻率低，可以减小引线的宽度和厚度，从而减小分布电容。
使用低 K 材料（介电常数比 SiO2 低的介质材料，介电常数小于 3.5）作为介质层，减
小了分布电容，降低了RC互连线延迟时间。提高集成电路的速度。
使用铜作为互连材料，低K材料作为介质层，可降低互连线延迟时间

75、Al布线与Cu布线的工艺有何不同？

Al多采用溅射法，互连层和通孔分别进行；
Cu先进行溅射，再采用电镀，互连层和通孔同时进行金属Cu的填充淀积，CMP平整化工艺只对导电金属层材料进行。与传统的互连工艺（铝互连）相比，工艺步骤得到简化，工艺成本降低。