SiPM半导体原理

SIPM

1. 材料
   Si+氧化层（SiO2）

2. 击穿电压：
   2.1- 原理------------------------------------------------
   PN结：给处于热平衡状态下PN结接上反向偏压（P接负，N接正，外接电场方向平行于内建电场。此时耗尽层变厚，空间电荷区域增加，电子漂移效应增强。）。
   随着反偏电压的逐渐升高，载流子在电场中获得更高的电势能（动能）。当能量增加到一定程度后，载流子产生碰撞电离，产生新的空穴-电子对。这一新产生的空穴电子对在反偏电压的作用下重复碰撞电离，从而产生更高的电流。这一过程即为电子雪崩，产生电子雪崩的外加最小偏压即为击穿电压。
   2.2- 温度特性------------------------------------------------
   同2.1，温度升高，半导体晶格振动加强。这一现象使得载流子与晶格碰撞几率增加，因碰撞损失的动能升高。这就要求在温度升高的前提下，得到电子雪崩的电压要升高。即击穿电压和温度正相关。
   参考课件PN结