电力电子总结2自我总结

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第二章 器件

• 电力二极管：电流有效值相等原则，1.57
  
  • [ ]Id有效值，额定平均值？
• 晶闸管 PNPN 正向阻断恢复时间（正电压恢复导通，不需要门极电流
  
  • 额定电压正反向90，裕量2-3倍
  • 额定电流有效值，Id/1.57x2
• GTO PNPN 门极可关断晶闸管
  
  • 开通快，开通承受didt强，但关断需要很大的反向电流
• GTR 三层半导体 巨型晶体管，高耐压（低掺杂N）
  
  • 二次击穿问题；安全工作区：最高电压Ucem，集电极最大电流Icm，最大耗散功率Pcm，二次击穿临界线（不同基电流下二次击穿临界点）
  • 截止放大饱和
• MOSFET 垂直导电结构
  
  • 截止非饱和饱和
• IGBT 高耐压，低通态压降
  
  • 正向阻断区，有源区，饱和区
  • 擎住效应和安全工作区
  • 正向偏置安全工作区(最大集电极电流，集射极间电压，最大集电极功率)
  • 反向偏置安全工作区(xx,xx,xx,最大dudt)

第四章 逆变

• 变压器带中心抽头电路：
  
  • 必须有一个变压器
  • 比全桥少用一半开关器件
  • 承受电压为2U2，两倍于全桥电路
• 三相电压三桥桥式电路（一般工作在180°导电方式，各相开始导电角度差120°，每一时刻三桥臂导通）

第五章 直流直流

• Buckboost，Cuk输入输出电压极性相反
• Speic，zeta极性相同，电流连续，但负载电流是脉冲波形，有利于输入输出滤波
• 电流可逆斩波电路，V1VD1降压，V2VD2升压，Io有负
• 整流选择：大于100V全桥，小于100V全波（半桥），不然同步整流（用mosfet代替二极管

第六章 ACAC

• 过零触发：晶闸管触发脉冲应该在电流过零点之后，把两个晶闸管反并联控制交流输出
• 两个晶闸管反并联后串联在交流电路中，通过晶闸管控制改变交流输出这种电路不改变交流电频率，称为电力控制电路
  
  • 交流调压（相控）
  • 交流调功（周期数和断态周期数之比）
  • 电力电子开关（根据需要接通断开电路串入晶闸管）
• 斩控交流调压（两个buk电路，开关频率>>工作频率）【V1V2斩波控制，V3V4续流通道】

第七章 PWM

• 面积等效原则
• 计算法（正弦波输出频率，幅值，半周期内脉冲个数
• 调制法（fc,fr,N=fc/fr
  
  • 异步，fr↑N↓
  • 同步，fr↑fc↑
• 滞环比较（跟踪控制方法):希望输出作为指令信号，实际电流电压为反馈信号，通过两者瞬时值比较决定器件通断，有电流型和电压型

第九章 应用共性问题

• 驱动电路基本任务：①将信息电路来的信号按要求转换加在电力电子器件控制端。②电气隔离
• 过电压保护：避雷器过电压抑制，RC过电压抑制，非线性元件抑制
• 过电流保护：熔断器，断路器，继电器，电路过流保护
• 缓冲电路【关断dudt/开通didt/复合缓冲】【耗能式/馈能式】
• 晶闸管串联：
  
  • 静态不均压：漏电流相同，电压不同，先后击穿【器件特性参数尽量一致，电阻均压】
  • 动态不均压：动态参数不同【器件特性参数尽量一致，RC并联均压，门级用强触发】
• 晶闸管并联：静动不均流有不足有过载【器件一致，均流电抗器，强脉冲】
• 先串联后并联
• MOSFET和IGBT可以直接并联
• 贝克钳位GTR集电极上二极管为钳位二极管，防止深度饱和，为抗饱和电路。

第十章 应用

• 整流状态时，直流电动机负载2电阻电感电动势，串联平波电抗器保证电流连续。
• 断续机械特性软，总电阻增大，连续固有特性一致
• 四个象限，机械特性
• 四个象限，逆变整流
• 变频器应用和vvvf：
  
  • 直流调速传动系统缺点：受使用环境制约，定期维护，最高速度受容量限制
  • 交直交有点：克服上述缺点，节能，结构简单可靠，高精度快相应
• 恒压频比：对变频器电压和频率的比率进行控制（电压V/频率f=C），维持气隙磁通为额定值。U=4.44xxxxxx
• 变压（整流技术），变频（逆变技术）
• 交流输入开关电源普遍采用软开关技术