压力传感器

实验

简介

MEMS硅压阻式压力传感器采用周边固定的圆形的应力杯硅薄膜内壁，采用MEMS技术直接将四个半导体应变片刻制在其表面应力最大处，组成惠斯顿测量电桥，作为力电变换测量电路，将压力量直接变换成电量。结构图如下：

上下二层是玻璃体，中间是硅片，硅片中部做成一应力杯，其应力硅薄膜上部有一真空腔，使之成为一个典型的绝压压力传感器。应力硅薄膜与真空腔接触这一面经光刻生成电桥电路。当外面的压力经引压腔进入传感器应力杯中，应力硅薄膜会因受外力作用而微微向上鼓起，发生弹性变形，四个电阻应变片因此而发生电阻变化，破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡，产生电桥输出与压力成正比的电压信号。封装后的传感器实物图如下：

初步文献调研

基于MEMS技术纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性研究

力热电相互作用下压阻式MEMS压力传感器的有限元模拟

附录
电桥简介

MEMS压力传感器原理及应用详解